MST Technologien und Prozesse (Subject) / MST Technologien und Prozesse (Lesson)

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• Nennen Sie zwei Ätzstoppmechanismen für das nasschemische Ätzen von Silizium in KOH und erläutern Sie deren Funktionsprinzip in Stichpunkten? 1. Rekombination mit p+-dotierten Halbleiter – p+Ätzstopp -> Elektronen rekombinieren mit Löcher -> Elektronen stehen somit für die Ätzung nicht mehr zu Verfügung 2. Ätzstopp auf Zeit -> Berechnung der benötigten Dauer auf Basis bekannter Ätzraten -> stark abhängig von Prozessparametern 3. Elektrochemischer Ätzstopp:Erlaubt Ätzstopp niedrig dotierter Schichtenp-Silizium wird selektiv zu n-Silizium geätztÄtzung erfolgt in einem Potentiostaten
• Nennen Sie einige Methoden, wie das Ätzen von konvexen Ecken beim nasschemische Ätzen von Silizium in KOH vermieden werden kann. KompensationsstrukturenBeam: viel Platz/ schräge Kanten bei geschützten EckenSquare: wenig Platz/ Ecken rau und zerklüftetBands: sehr viel Platz/ Eckenprofil sehr gutÜberlagerung: der Basisstrukturen: optimalen ErgebnisseExakte Einhaltung der Ätzzeit
• Nennen Sie die Reaktionsgleichung entsprechend der Silizium in KOH geätzt wird (Gesamtbruttogleichung genügt). Si + 2OH- + 2H2O -> SiO2(OH)2-- + 2H2 ↑
• Erläutern Sie das sogenannte Deep Reactive Ion Etching (DRIE-Etching) von Silizium. Plasma (Gemisch aus reaktiven und inerten Gasen) -> Gasentladung -> Reaktive Gase, Ionen und inerte Ionen -> kombinierter chemischer und physikalischer Ätzangriff (reaktive, neutrale, inerte Teilchen)Alternierende Ätzgase (SF6 (Ätzen)/ C4F8 (Passivieren))
• Nennen Sie jeweils mindestens zwei Vor- bzw. Nachteile des DRIE-Verfahrens gegenüber dem anisotropen Ätzen von Silizium in KOH. Vorteile:1. keine Einschränkung bezüglich lateraler Geometrie2. unabhängig von Waferorientierung3. Durchätzen des gesamten Wafers möglich4. Hohes Aspektverhältnis (bis 30:1)Nachteile:1. Einzelwaferprozess2. geringere Ätzrate
• Was ist poröses Silizium (Morphologie)? Durch elktrochem. Vorgang entstandene schwammartige Struktur aus Siliziumskelett und Luftporen
• Beschreiben Sie den chemischen Reaktionsablauf bei der Herstellung von porösem Silizium. 1. Gleichgewicht(ohne angelegte Vorspannung): Si-Oberfläche(OF) ist durch Hpassiviert,dadurch ist F(neg.geladen) abgeschirmt und es findet keine Ätzung statt!2. mit Vorspannung: Defektelektronen("Löcher") wandern zur OF und schwächen die H- Bindungen3. Reaktion:H2 wird freigesetzt und durch F(-) ersetzt4. F induziert Dipolkräfte auf Si-Bindungen und SiF2 wird aus dem Kristallverbund gelöst5. SiF2 + 2 HF -> SiF4 und SiF4 + 2 HF -> H2SiF6
• Skizzieren Sie den Aufbau einer elektrochemischen Zelle für die Herstellung von porösem Silizium und benennen Sie die wichtigen Merkmale. Wichtige Merkmale:1. homogene Stromdichte über den Si-Wafer -> Homogene Porösifizierung2. Zugabe von Ethanol zur Unterstützung der Ablösung von H23. HF-Sicherheit http://img543.imageshack.us/img543/1089/elektrochemischezelle.png
• Skizzieren Sie zunächst das anfängliche Gleichgewicht des Übergangs Si / HF-Elektrolyt ohne Vorliegen einer Vorspannung. Beschreiben Sie die Reaktionen zur Si-Porösifizierung am Übergang Si / HF-Elektrolyt bei Anliegen einer Vorspannung. http://img62.imageshack.us/img62/8306/porsifizierung.png1. Gleichgewicht: Si-Oberfläche(OF) ist durch H passiviert,dadurch ist F(neg.geladen)abgeschirmt und es findet keine Ätzung statt! Vorspannung:2. Defektelektronen (Löcher) an Si-OF polarisieren und schwächen H-Bindung3. Wasserstoff (H2) wird freigesetzt und durch F ersetzt4. F induziert Dipolkräfte auf die Si-Bindung -> Herauslösen von Si-Atomen (SiF2)5. Umwandlung (da instabil): SiF2 + 2HF > SiF4 / SiF4 + 2HF > H2SiF6
• Was ist entscheidend damit die Porösifizierungsreaktion stattfinden kann? Was muss bei der Porösifizierung vom n-dotiertem Silizium im Vergleich zu p-dotiertem beachtet werden? Ausreichend Defektelektronen p-dotiert: Defektelektronen ausreichend vorhanden -> chem. Reaktion kann bei geeigneter Prozessführung ablaufenn-dotiert: Nicht genügend Löcher an der Grenzschicht -> Beleuchtung des Wafers zur Generierung von Elektronen-Loch-Paaren > chem. Reaktion kann ablaufen.
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• Was versteht man unter Elektropolishing und welcher Prozessparameter bestimmt maßgeblich den Arbeitsbereich? Durch eine äußere Spannung können mehrere Atomlagen eines Materials abgetragen werden. Prozessparameter: Stromdichte
• Erläutern Sie den Mechanismus der Porenbildung anhand der Raumladungszone und gehen sie auf den Einfluss der Dotierung auf die Porengröße ein (ggf. Skizze)! Die Bildung von Poren ist ein selbstorganisierender Prozess. Die Poren wachsen in die Richtung, aus der die Löcher kommen. Raumladungszone ist abhängig von Art und Höhe der Dotierung. – Je schwächer die Dotierung, desto größer die Raumladungszone http://img833.imageshack.us/img833/4315/raumladungpor.png
• Wodurch wird die Morphologie der Poren bestimmt? Substrat-DotierungStromdichteHF-Konzentration(Beleuchtung)
• Welche Arten der Porösität unterscheidet man? Nennen sie typische Bereiche von Porengrößen und die wichtigsten Eigenschaften. Monokristalline StrukturOF/Volumen = sehr groß1. Nanoporöso 1-2 nmo Quanteneffekte -> Lumineszenz („leuchtendes Silizium“)2. Mesaporöso 2-50 nmo Mechanisch stabilo Beschichtbare Oberfläche3. Makroporöso 50 nm – 20 μmo Grenze zum Elektropolieren
• Wie ist Porösität definiert und wie wird diese experimentell bestimmt? Verhältnis zwischen Luftvolumen und Gesamtvolumen der porösen SchichtGravimetrische Bestimmung:P = herausgeätzte Masse/Masse der porösen Schicht
• Wie kann die Porenbildung an der Substratoberfläche gezielt beeinflusst werden? Anätzen des Siliziums (Ort der Porenbildung)Stromdichte (Porendurchmesser)HF-Konzentration (Porendurchmesser)
• Wie kann poröses Siliziumoxid hergestellt werden? poröses Si kann oxidiert werde > poröses SiO2
• Nennen Sie drei Anwendungen von porösem Silizium in der MST! HF-Sensoren, Opferschichten, Thermische Isolatoren, Optische Filter,Feuchte Sensoren, Mikroreaktoren, Drucksensoren
• Beschreiben Sie die wesentlichen Prozessschritte des LIGA – Verfahrens. LIGA = Lithographie, Galvanik und Abformung1. Röntgentiefenlithographieo Intensive, parallele Strahlung > hohe Lackdicke2. Galvanoformungo Kunststoffstruktur (Resist) wird zur (Negativ)-Metallstruktur3. Abformungo (Positiv)-Kunststoffstruktur wird aus (Negativ)-Metallstruktur abgeformt durchMikrospritzguß/ Prägen4. Eventuell zweite Galvanoformung Vorteil: hohe Materialvielfalt Nachteil: verlorene Formen
• Was sind die Merkmale von Produkten, die mit dem LIGA-Verfahren hergestellt werden? Raue Oberfläche durch galvanische AbscheidungStruktur ist nichtpoliergefrästExtreme Aspektverhältnisse
• Wie ist eine Maske für die Röntgentiefenlithographie aufgebaut und welche Eigenschaften müssen diese Bestandteile haben? MaskenrahmenO stabilTrägerfolieo Geringe Absorption der harten Röntgenstrahleno Mechanische Stabilitäto Gute Wärme(ab)leitungo Material der Trägerfolie: Titan, Berylliumbleche oder KunststoffeAbsorberstrukturo Absorption harter Synchrotronstahlung (dick/ hohes Atomgewicht)o galvanisch abscheidbaro Herstellung über Zwischenmaskeno Material der Absorberstruktur: z.B. Gold
• Beschreiben Sie die Verfahrensschritte zur Herstellung einer Arbeitsmaske für die Röntgentiefenlithographie (gehen Sie davon aus, dass Sie eine Zwischenmaske brauchen). Zwischenmaske:1. Aufsputtern von Titan2. Freiätzen der Titanfolie3. Aufschleudern des Resists 6 μm dick4. Strukturierung mit Elektronenstrahlung5. Entwickeln der Resistschicht6. galvanische Goldabscheidung, 3 μm7. Entfernen der ResistschichtArbeitsmaske:1. Erstellung einer Zwischenmaske (wie oben)2. Aufsputtern von Titan3. Aufgießen von PMMA, 20 μm4. Strukturierung mittels Zwischenmaske und Synchrotronstrahlung5. Entwickeln des belichteten PMMA6. Goldabscheidung, 10 μm7. Auflösen des unbelichteten PMMA und freiätzen der Titanfolie
• Welche Vorteile ermöglicht die Verwendung von Röntgenstrahlung in der Lithographie? Wellenlängenbereich sehr klein (0,2 nm < λ < 2 nm)o Beugung vernachlässigbar > hohe Resistdicke möglich (3 mm)
• Welche besonderen Schwierigkeiten treten bei Verwendung von Röntgenstrahlung in der Lithographie auf (Gerätetechnisch und / oder bezogen auf das Material) keine optischen Komponenten verfügbar divergente Strahlung Strahlungsschäden im Resist
• Welche Materialien können prinzipiell als Trägerfolie eingesetzt werden? Begründen Sie Ihre Antwort Titan (Masken sehr empfindlich): nicht giftig, hält mehrere Zyklen ausBeryllium Blech: gute Wärmeleitung, mechanisch stabilKunststoffe (z.B. Kapton): gute opt. Transparenz ermöglicht einfache Justage
• Beschreiben Sie was beim Belichten und Entwickeln eines PMMA Resists für die Röntgentiefenlithographie passiert. Was ist beim Entwickeln besonders wichtig? Bestrahlung führt zur Zerstörung der Polymerketten des PMMA  Verringerung des MolekulargewichtsEntwickler: muss die Bereiche mit einem niedrigerem Molekulargewicht herauslösen/ muss sehr selektiv sein
• Nennen Sie mindestens 3 Effekte mit Namen sowie dem physikalischen Wirkprinzip, welche die Strukturqualität beim LIGA Verfahren beeinflussen können. Fresnel-Beugungo Beugung an einer scharfen KanteFotoelektroneno γ-Quanten erzeugen hochenergetische freie Elektronen > werden im Resist gestreutStrahldivergenzo relativistische Korrektur (v < c) und Betatronschwingung
• Was macht das eigentlich kostspielige LIGA Verfahren doch für eine industrielle Vermarktung interessant? extrem scharfe und präzise StrukturenHohe Fixkosten für Herstellung des Stempels, geringe variable Kosten
• Zählen Sie mindestens drei Gründe dafür auf, warum die Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) in der Mikrosystemtechnik oft wesentlich komplizierter ist als in der Mikroelektronik? hermetische Kapselung oft nicht möglich mechanische Bestandteile oft empfindlich thermische SpannungenMaterialpalette oft stark eingeschränkt
• Nennen Sie mindestens zwei Full-Wafer-Bondverfahren für das Verbinden von Silizium-Wafern. 1. Silizium-Fusion Bonden 2. Anodisches Bonden
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• Erläutern Sie bitte für das Silizium-Fusion Bonding zweier Silizium-Wafer a. den Prozessablauf, b. den chemischen Hintergrund für den Bondprozess, c. die Vor- & Nachteile des Bondprozess a) 1. Reinigen der Wafer2. Hydrophyilisieren der Oberfläche3. Justage und Prebond4. Tempern (~1000°C, 60 min) b) 1. Unter 300°C: Van-der-Waals-Bindungen2. 300°C: Wafer wachsen zusammen: Si-OH + OH-Si  H2O + Si-O-Si3. Über 300°C: volle Bondkraft c) Vorteile:o sehr feste Bondverbindungo einfache Techniko Geringe KostenNachteile:o Wafer müssen glatt und planar seino Sehr empfindlich gegen Staubo Sehr hohe Temperatur erforderlicho elektrisch isolierende Verbindung
• Erläutern Sie bitte für das Anodische Bonden a. welche Materialien verwendet werden und worauf bei der Materialauswahl zu achten ist b. den Prozessablauf sowie c. die Vor- & Nachteile des Bondprozess a) Metalle/ Halbleiter werden mit ionenhaltigem Glas verbunden (Ionen müssen im Glas vorhanden sein)Pyrex-Glas (ähnlicher, thermischer Ausdehnungskoeffizient wie Silizium) b) 1. Bei einer Temperatur oberhalb des Glasübergangspunkts wird Glas elektrisch leitend2. Anlegen einer Spannung3. Die elektrostatischen Kräfte der Raumladungszone im Glas und im Siliziumwafer bringen die beiden Wafer in innigen Kontakt > Kovalente Bindung c) Vorteile:o mäßige Temperaturbelastungo gute thermische Anpassung der Materialieno geringe Anforderungen an Oberflächen-QualitätNachteile:o Pyrex-Glas isoliert elektrisch und thermischo Zerstörung strukturierter Wafer durch elektrische Ueberschläge möglicho Pyrex schlechter bearbeitbar als Siliziumo teilweise zu hohe Temperatur
• Erläutern Sie den Säge-Prozess beim Vereinzeln eines Silizium-Wafers sowie die geometrischen Rahmenbedingungen (Breite des Sägespalts, Kanten- bzw. Keilfehler, minimale Chipgröße) 1. Wafer wird auf eine selbstklebende Sägefolie mit Spannrahmen aufgebracht2. Einspannen auf x/y-Tisch3. Eine schnelldrehende, diamantbeschichte Schleifscheibe aus Kunststoff trennt dieDices:o Breite: 50 – 200 μmo Ausbrüche: 10 -50 μmo minimale Chipkantenlänge: 500 μm4. Zerstörung des Klebers durch UV
• Erläutern Sie für das anisotrope Leitkleben a. die Prozessführung b. die Vor- & Nachteile des Prozess a) 1. Kleber wird mit einem Dispenser aufgebraucht2. Druck -> Verdichtung des Klebers-> elektrisch leitfähige Bestandteile berühren nur Pads (kein Kontakt untereinander)3 Wärme härtet den Kleber -> Teilchen sind fixiert b) Vorteile:o Kleber übernimmt mehrere Funktionen wie Isolation/ Abdichtungo keine mech. Schwachstelleno Miniaturisierungo geringe VerspannungNachteile:o hohe Planparallelität/ genaue Positionierung erforderlicho Einzelprozesso „face-down“/ Durchkontaktierungo Kein guter Isolator trotz hohe el. Widerstand
• Erläutern Sie bitte für das eutektische Bonden eines Silizium-Chips auf einen Träger a. welche Materialien bzw. welcher Schichtaufbau verwendet wird b. den Prozessablauf sowie c. die Vor- & Nachteile des Bondprozess a) 1. Chip: Haftschicht und Diffusionssperre für Au / Schicht 1-2 μm Au2. Chip: Si b) 1. Si wird in Kontakt mit Au gebracht und auf 390°C erhitzt2. Am Interface diffundiert Au in Si3. Reines Si bzw. Au schmelzen in diesen Bereich nicht; Mischung der beiden Materialien schmilzt bei 370°C und bildet ein Eutektikum.4. Mischungsbereich breitet sich aus, bis Legierungspartner verbraucht ist c) Vorteile:o gute elekt./ therm. Leitungo sehr große HaftfestigkeitNachteile:o große thermische Spannungen aufgrund unterschiedlicheAusdehnungskoeffizienten
• Erklären Sie jeweils kurz die Bedeutung sowie die Vorteile der Aufbau- und Verbindungstechnik a. Chip on Board (COB) b. Surface Mount Devices (SMD) a) o ungehäuster Chip wird auf Substrat befestigto Vorteil: Komptakte Bauweise, kurze Wege, hohe Zuverlässigkeit b) o Bauteile werden direkt auf die Oberfläche der Platine geklebt/ durch Reflow-Löten mech. befestigt/ elekt. kontaktierto Vorteil: keine Bestückungslöcher erforderlich
• Erläutern Sie bitte für das Ball-Wedge-Bonden (Kugel-Keil-Schweißen) a. welche Materialien verwendet werden (für den Draht bzw. das Pad) b. den Prozessablauf sowie c. die Vor- & Nachteile des Bondprozess a) Draht: Gold (Au), Pad: metallischer Bereich z.B. Aluminium b) 1. Bonddraht wird in Kapillare geführt2. Kugel am Ende des Bonddrahtes wird auf das Bondpad gedrückt und aufgeschweißt -> Nailhead3. Drahtbremse offen: Bonddraht wird abgespult4. Kapillare bewegt sich zu Gegenkontakt und formt dabei den Loop5. Draht wird auf Gegenkontakt abgedrückt > Wedge6. Drahtbremse geschlossen: Abscheren/ Abreißen des Drahts7. Drahtende wird durch elektrischen Funken/Flamme zu einer Kugel geformt c) Vorteile:o Nailhead rotationssymmetrischo Größere KontaktflächeNachteile:o Nur Auo Bonds können nicht eng gesetzt werden
• Erläutern Sie bitte für das Wedge – Wedge - Bonden (Keil -Keil-Schweißen) a. welche Materialien verwendet werden (für den Draht bzw. das Pad) b. den Prozessablauf sowie c. die Vor- & Nachteile des Bondprozess a) Gold (Au) oder Al-Si-Legierung b) 1. Draht, der schräg in Bondwerkzeug liegt, wird unter seiner Stirnfläche Zusammengepresst > erster Wedge entsteht2. Drahtbremse offen: Vorfahren des Bondkopfes > Loop entsteht3. Drahtbremse geschlossen: Bondwerkzeug presst wieder den Draht unter seinerStirnfäche zusammen > 2. Wedge entsteht4. Beim Entfernen des Bondwerkzeugs reißt der Draht ab c) Vorteile:o kleinerer Loopo Bonds enger platzierbaro kleinere Bondpadso Al und Au können für Draht verwendet werdenNachteile:o Richtung festgelegt
• Was versteht man unter einer Kostenstelle (Nennen Sie bitte auch ein Beispiel). Über Kostenstellen lassen sich die auftretenden Ausgaben einer bestimmtenOrganisationseinheit innerhalb einer Firma zuordnen. z.B. Abteilung, Arbeitsgruppe, Projekt
• Was versteht man unter einer Kostenart (Nennen Sie bitte auch ein Beispiel). Gruppierung thematisch zusammenhängender Ausgaben innerhalb einer Kostenstelle Bsp: Kostenarten innerhalb der Kostenstelle ‚Personalkosten‘: Mitarbeiter, HiWis, Diplomanden, etc.
• Mit welchen Kosten muss man grob in der Silizium-Mikromechanik rechnen für a. eine Maske (zur Belichtung eines 4“ Wafers) b. einen Wafer (4“) a) ca. 700 Euro/Maske b) 10 – 50 Euro/Wafer
• Bitte stellen Sie für die unten dargestellte Struktur einen idealen Prozessablauf für deren Herstellung auf (Stichpunkte der einzelnen Bearbeitungsschritte). Gehen Sie davon aus, dass die Struktur durch Kombination von nasschemisches Ätzen von Sil Idealer Prozessablauf (für: MegaMic – Auslasschip):1. Standard-Reinigung und Oxidation (400 nm)2. Abscheidung LPCVD-Nitrid (110 nm)3. Standard-Reinigung und Photolithographie4. Trockenätzen (Nitrid) Rückseite5. Nassätzen (Oxid) Rückseite6. Lack entfernen7. anisotropes KOH-Ätzen (ca. 445 nm tief)8. Nassätzen (Nitrid)9. Nassätzen (Oxid)10. Standard-Reinigung und Oxidation (600 nm)11. Standard-Reinigung und Photolithographie auf Vorderseite (inkl. Entwickeln)12. Trockenätzen (Oxid: 600 nm)13. Trockenätzen Silizium (80 μm tief)14. Nassätzen (Oxid)
• Bitte nennen Sie mindestens 7 Faktoren, über welche sich in der Silizium-Mikromechanik die Kosten eines damit hergestellten Sensor- oder Aktorbauelementes reduzieren lassen. 1. Chipgröße reduzieren (Preis ~ Fläche)2. Ausschuss reduzieren3. Alternative Prozessführung durchrechnen4. Anlagenlaufzeit steigern5. Günstiger einkaufen6. Anlage mit höherer Ätzrate/ höherem Automatisierungsgrad kaufen7. Alternative Produzenten prüfen8. Das beste Einsparpotential ist die optimale Konzeption der Lösung
• Bitte erläutern Sie die Unterschiede der drei Begriffe Funktionsmuster, Prototyp und Serienprodukt. Funktionsmuster (Working model)Bauteil, welches im Laboraufbau mit zum Teil nicht-standardisierten Verfahren hergestelltwurde, aber trotzdem die gewünschte Funktion des Produktes demonstriert Prototyp (prototype)Bauteil, das bereits mit seriennahem Verfahren hergestellt wurde SerienproduktBauteil aus laufender Produktion
• Nennen Sie drei Verfahren zum Rapid Prototyping von Mikrostrukturen in Kunststoffen. MikrofräsenEDM | Elektro-Discharge-MachiningLaserbearbeitung
• Nennen Sie drei Verfahren zur Herstellung von Masterstrukturen (Formeinsätze) für den Spritzguß. Charakterisieren Sie die Verfahren in kurzen Stichworten (Vor- und Nachteile). Galvaniko Vorteile:-> Hohes Aspektverhältnis durch SU8-Resist-> Paralleles Verfahreno Nachteile:-> sehr lange Zeiten um Strukturen galvanisch zu Überwachsen,-> Photolitographie bestimmt minimale Strukturbreite Elektro-Discharge Machining (EDM)o Vorteile:-> kontaktfreie Methode-> kleine, fragile Strukturen realisierbar-> unabhängig von physik., chem. oder mech. Eigenschafteno Nachteile:-> Werkzeug nutzt sich ab Mikrofräseno Vorteile:-> Freiformflächen herstellbaro Nachteile:-> min. Durchmesser des Fräskopfes 100 μm-> Eckenverrundung unvermeidbar-> lange BearbeitungszeitPDMS-Silikone (Soft-Embossing)o Vorteile:-> keine Galvanik-> sehr genau definierte Strukturtiefen/ laterale Geometrien-> sehr günstig-> (fast) alle relevanten Kunststoffe prägbar (niedrige Temperatur)o Nachteile:-> nicht unbegrenzt lange verwertbar
• Können bei großen Siliziumbauelementen (Chips mit mehreren Quadratzentimeter Fläche z.B. für fluidische Bauteile) bei hohen Stückzahlen die Produktionskosten gegenüber kleinen Stückzahlen signifikant reduziert werden? Begründen Sie Ihre Antwort! Stückkosten = (Fixkosten/Anzahl der Teilchen) + variable Kosten Die Produktionskosten können nicht signifikant reduziert werden, da bei großen Siliziumbauelementen die variablen Kosten steigen.
• Nennen Sie 8 Kriterien, die bei der Auswahl eines geeigneten Herstellungsverfahrens für Mikrostrukturen berücksichtigt werden sollten. KostenProzesskompatibilitätSpätere Funktion/Anwendung/ KompatibilitätAVT Umweltfaktoren StückzahlGewünschte Strukturen/ÄtzmethodeMaterialen
• Skizzieren Sie den grundlegenden Zusammenhang zwischen Laserleistung und dem Materialabtrag pro Laserpuls bei der Laserablation. Welchen Einfluss hat die Wellenlänge des Lasers? Laser ist eine Art von Licht.Umwandlung von (Laser)lichtenergie in Wärmeenergie (Energieerhaltung) -> MaterialabtragHöhere Laserleistung > mehr Energie > mehr Material wird abtragenλ = c/f   <-   E = hf h = Planck'sches Wirkungsquantum (Konstante) E = Lichtenergie c = Lichtgeschwindigkeit (Konstante)λ = Wellenlänge des Lasers f = Frequenz des Lasersf ~ 1/λ -> Kleinere Wellenlänge bedeutet ebenfalls höhere Energie -> mehr Material wird abtragen
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